การประยุกต์ใช้เทคโนโลยี CWDM ในเครือข่ายโทรคมนาคมมีความสมบูรณ์มาก International Telecommunication Union กำหนด 18 ช่อง CWDM ที่มีช่วง 20 nm ในแถบ 1271-1611 nm มาตรฐาน CWDM4 ในการสื่อสารข้อมูลใช้ความยาวคลื่นสี่ช่วง คือ 1271-1331 นาโนเมตร ซึ่งอยู่ใกล้กับจุดกระจายศูนย์ของไฟเบอร์โหมดเดียว G652 โมดูลตัวรับส่งสัญญาณออปติคัลศูนย์ข้อมูล 100G รูปแบบบรรจุภัณฑ์หลักในปัจจุบันคือ QSFP28 เลเซอร์กึ่งตัวนำแบบรวม 4 ตัวอาร์เรย์เครื่องตรวจจับแสงและวงจรขับรวมถึงส่วนประกอบ CWDM4 แบบพาสซีฟ ในการรวมส่วนประกอบ CWDM4 เข้ากับโมดูล QSFP28 จำเป็นต้องทำให้การออกแบบมีขนาดเล็กที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ และข้อกำหนดด้านขนาดจะเข้มงวดกว่าโมดูล CCWDM (โมดูล CWDM ขนาดกะทัดรัด) ในแอปพลิเคชันโทรคมนาคม
สิ่งของ | สภาพ/วิธีการวัด | เครื่องหมาย | หน่วย | พิมพ์ | |
| Mux | Demux | ||||
ช่อง | CH | 4 | |||
ระยะห่าง | Spc | นาโนเมตร | 20 | ||
CWL | 25℃@3dB ศูนย์ | λC | นาโนเมตร | CH1:1271 | |
| CH2:1291 | |||||
| CH3:1311 | |||||
| CH4:1331 | |||||
ความแม่นยำ CWL | 25℃@3dB ศูนย์ | △λC | นาโนเมตร | ±1 | |
แบนด์วิดธ์ 1dB | BW1dB | นาโนเมตร | ≥12 | ≥12 | |
แบนด์วิดธ์ 3dB | BW3dB | นาโนเมตร | ≥15 | ≥15 | |
ความสม่ำเสมอของช่อง | ทุกช่อง ILmax-ILmin | บทที่ 1 | เดซิเบล | ≤0.7 | |
ชิปยูนิฟอร์ม | ชิปทั้งหมด ILmax-ILmin | หน่วยที่ 2 | เดซิเบล | ≤2 | / |
การสูญเสียการแทรก | @Passband±5nm;รวม PDL และข้อต่อไฟเบอร์ | IL | เดซิเบล | 2~3.5 | ≤2.5 |
โพลาไรเซชันขึ้นอยู่กับการสูญเสีย | พาสแบนด์±1nm | PDL | เดซิเบล | ≤0.5 | |
ระลอกคลื่น | พาสแบนด์±5nm | R | เดซิเบล | ≤1.0 | |
ผลตอบแทนขาดทุน | RL | เดซิเบล | ≥40 | ||
การแยก (ที่อยู่ติดกัน) | พาสแบนด์±6.5nm | ไอโซ | เดซิเบล | / | ≥20 |
การแยก (ไม่อยู่ติดกัน) | พาสแบนด์±6.5nm | ไอโซ | เดซิเบล | / | ≥20 |
การกระจายโหมดโพลาไรเซชัน | PMD | PS | ≤0.15 | ≤0.15 | |
การสูญเสียขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ | -50~+85℃ | TDL | เดซิเบล | ≤0.2 | ≤0.2 |
ความคงตัวทางความร้อนของความยาวคลื่น | WTS | นิวตันเมตร/℃ | ≤0.012 | / | |
ช่อง Pitch | อืม | 500 | 250 | ||
ด้านอินพุต/เอาต์พุต | ด้านที่เหมือนกัน | ฝั่งตรงข้าม | |||
ขนาดชิป | ขนาดสูงสุด | มม | ≤7.6*4.0 | ≤10.2*1.6 | |
ความสูงของชิป | มม | ≤1.3 | ≤1.0 | ||
อุณหภูมิในการทำงาน | ℃ | -5~+80 | |||
อุณหภูมิในการจัดเก็บ | ℃ | -40~+85 | |||

แบนด์วิดธ์การทำงานเพียงพอ

รัศมีการดัดต่ำมาก

ความสอดคล้องของช่องที่ดีที่สุด
การวาดภาพโครงสร้างโดยละเอียด:


ส่วนใหญ่ใช้ในเครื่องส่งสัญญาณและตัวรับสัญญาณของโมดูลออปติคัล ใช้กันอย่างแพร่หลายในโมดูลออปติคัลที่ใช้งานสูง 40G, 100G สำหรับมัลติเพล็กซ์สัญญาณออปติคัลและการแยกส่วน

QSFP+

QSFP28
ในโมดูลตัวรับส่งสัญญาณออปติคัล CWDM4 จำเป็นต้องใช้ชิป CWDM4 AWG สองตัว ชิปหนึ่งสำหรับมัลติเพล็กซ์และส่งสัญญาณออปติคัล และอีกชิปหนึ่งสำหรับการแยกส่วนและรับสัญญาณออปติคัล ที่ตัวส่งสัญญาณ ชิป CWDM4 AWG ส่วนใหญ่ใช้โครงสร้างอินพุต/เอาต์พุตด้านเดียว แต่ที่ตัวรับ ความยาวคลื่นที่แยกส่วนแยกส่วนจะถูกตรวจจับโดยโฟโตดีเทคเตอร์โดยไม่ต้องเชื่อมต่อกับไฟเบอร์โหมดเดียว

4 สายการผลิต WDM

อุปกรณ์ทดสอบนำเข้า

วัฏจักรอุณหภูมิสูงและต่ำ
การทดสอบอุณหภูมิสูงและต่ำ 100%
การทดสอบด้วยแสงอย่างเข้มงวด 100%
ทีมงานบริการมืออาชีพตัวต่อตัว
ตอบกลับภายใน 24 ชั่วโมง
จัดส่งที่รวดเร็ว
ป้ายกำกับยอดนิยม: awg cwdm4 mux และ demux โมดูล จีน ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน ขายส่ง กำหนดเอง
สิ่งของ | สภาพ/วิธีการวัด | เครื่องหมาย | หน่วย | พิมพ์ | |
| Mux | Demux | ||||
ช่อง | CH | 4 | |||
ระยะห่าง | Spc | นาโนเมตร | 20 | ||
CWL | 25℃@3dB ศูนย์ | λC | นาโนเมตร | CH1:1271 | |
| CH2:1291 | |||||
| CH3:1311 | |||||
| CH4:1331 | |||||
ความแม่นยำ CWL | 25℃@3dB ศูนย์ | △λC | นาโนเมตร | ±1 | |
แบนด์วิดธ์ 1dB | BW1dB | นาโนเมตร | ≥12 | ≥12 | |
แบนด์วิดธ์ 3dB | BW3dB | นาโนเมตร | ≥15 | ≥15 | |
ความสม่ำเสมอของช่อง | ทุกช่อง ILmax-ILmin | บทที่ 1 | เดซิเบล | ≤0.7 | |
ชิปยูนิฟอร์ม | ชิปทั้งหมด ILmax-ILmin | หน่วยที่ 2 | เดซิเบล | ≤2 | / |
การสูญเสียการแทรก | @Passband±5nm;รวม PDL และข้อต่อไฟเบอร์ | IL | เดซิเบล | 2~3.5 | ≤2.5 |
โพลาไรเซชันขึ้นอยู่กับการสูญเสีย | พาสแบนด์±1nm | PDL | เดซิเบล | ≤0.5 | |
ระลอกคลื่น | พาสแบนด์±5nm | R | เดซิเบล | ≤1.0 | |
ผลตอบแทนขาดทุน | RL | เดซิเบล | ≥40 | ||
การแยก (ที่อยู่ติดกัน) | พาสแบนด์±6.5nm | ไอโซ | เดซิเบล | / | ≥20 |
การแยก (ไม่อยู่ติดกัน) | พาสแบนด์±6.5nm | ไอโซ | เดซิเบล | / | ≥20 |
การกระจายโหมดโพลาไรเซชัน | PMD | PS | ≤0.15 | ≤0.15 | |
การสูญเสียขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ | -50~+85℃ | TDL | เดซิเบล | ≤0.2 | ≤0.2 |
ความคงตัวทางความร้อนของความยาวคลื่น | WTS | นิวตันเมตร/℃ | ≤0.012 | / | |
ช่อง Pitch | อืม | 500 | 250 | ||
ด้านอินพุต/เอาต์พุต | ด้านที่เหมือนกัน | ฝั่งตรงข้าม | |||
ขนาดชิป | ขนาดสูงสุด | มม | ≤7.6*4.0 | ≤10.2*1.6 | |
ความสูงของชิป | มม | ≤1.3 | ≤1.0 | ||
อุณหภูมิในการทำงาน | ℃ | -5~+80 | |||
อุณหภูมิในการจัดเก็บ | ℃ | -40~+85 | |||




