AWG CWDM4 โมดูล Mux และ Demux
AWG CWDM4 โมดูล Mux และ Demux

AWG CWDM4 โมดูล Mux และ Demux

โมดูล AWG CWDM4 การประยุกต์ใช้เทคโนโลยี CWDM ในเครือข่ายโทรคมนาคมมีความสมบูรณ์มาก International Telecommunication Union กำหนด 18 ช่อง CWDM ที่มีช่วง 20 nm ในแถบ 1271-1611 nm มาตรฐาน CWDM4 ในการสื่อสารข้อมูลใช้ความยาวคลื่น 4 ช่วง คือ 1271-1331 nm...
ส่งคำถาม

 

โมดูล AWG CWDM4

การประยุกต์ใช้เทคโนโลยี CWDM ในเครือข่ายโทรคมนาคมมีความสมบูรณ์มาก International Telecommunication Union กำหนด 18 ช่อง CWDM ที่มีช่วง 20 nm ในแถบ 1271-1611 nm มาตรฐาน CWDM4 ในการสื่อสารข้อมูลใช้ความยาวคลื่นสี่ช่วง คือ 1271-1331 นาโนเมตร ซึ่งอยู่ใกล้กับจุดกระจายศูนย์ของไฟเบอร์โหมดเดียว G652 โมดูลตัวรับส่งสัญญาณออปติคัลศูนย์ข้อมูล 100G รูปแบบบรรจุภัณฑ์หลักในปัจจุบันคือ QSFP28 เลเซอร์กึ่งตัวนำแบบรวม 4 ตัวอาร์เรย์เครื่องตรวจจับแสงและวงจรขับรวมถึงส่วนประกอบ CWDM4 แบบพาสซีฟ ในการรวมส่วนประกอบ CWDM4 เข้ากับโมดูล QSFP28 จำเป็นต้องทำให้การออกแบบมีขนาดเล็กที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ และข้อกำหนดด้านขนาดจะเข้มงวดกว่าโมดูล CCWDM (โมดูล CWDM ขนาดกะทัดรัด) ในแอปพลิเคชันโทรคมนาคม

สิ่งของ

สภาพ/วิธีการวัด

เครื่องหมาย

หน่วย

พิมพ์
MuxDemux

ช่อง


CH


4

ระยะห่าง


Spc

นาโนเมตร

20

CWL

25℃@3dB ศูนย์

λC

นาโนเมตร

CH1:1271





CH2:1291




CH3:1311




CH4:1331

ความแม่นยำ CWL

25℃@3dB ศูนย์

△λC

นาโนเมตร

±1

แบนด์วิดธ์ 1dB


BW1dB

นาโนเมตร

≥12

≥12

แบนด์วิดธ์ 3dB


BW3dB

นาโนเมตร

≥15

≥15

ความสม่ำเสมอของช่อง

ทุกช่อง ILmax-ILmin

บทที่ 1

เดซิเบล

≤0.7

ชิปยูนิฟอร์ม

ชิปทั้งหมด ILmax-ILmin

หน่วยที่ 2

เดซิเบล

≤2

/

การสูญเสียการแทรก

@Passband±5nm;รวม PDL และข้อต่อไฟเบอร์

IL

เดซิเบล

2~3.5

≤2.5

โพลาไรเซชันขึ้นอยู่กับการสูญเสีย

พาสแบนด์±1nm

PDL

เดซิเบล

≤0.5

ระลอกคลื่น

พาสแบนด์±5nm

R

เดซิเบล

≤1.0

ผลตอบแทนขาดทุน


RL

เดซิเบล

≥40

การแยก (ที่อยู่ติดกัน)

พาสแบนด์±6.5nm

ไอโซ

เดซิเบล

/

≥20

การแยก (ไม่อยู่ติดกัน)

พาสแบนด์±6.5nm

ไอโซ

เดซิเบล

/

≥20

การกระจายโหมดโพลาไรเซชัน


PMD

PS

≤0.15

≤0.15

การสูญเสียขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ

-50~+85℃

TDL

เดซิเบล

≤0.2

≤0.2

ความคงตัวทางความร้อนของความยาวคลื่น


WTS

นิวตันเมตร/℃

≤0.012

/

ช่อง Pitch



อืม

500

250

ด้านอินพุต/เอาต์พุต




ด้านที่เหมือนกัน

ฝั่งตรงข้าม

ขนาดชิป

ขนาดสูงสุด


มม

≤7.6*4.0

≤10.2*1.6

ความสูงของชิป



มม

≤1.3

≤1.0

อุณหภูมิในการทำงาน



℃

-5~+80

อุณหภูมิในการจัดเก็บ



℃

-40~+85

คุณสมบัติและข้อดี


Enough working bandwidth/n



แบนด์วิดธ์การทำงานเพียงพอ

The bending radius is as low as 5 mm

รัศมีการดัดต่ำมาก

Demux





ความสอดคล้องของช่องที่ดีที่สุด

การวาดภาพโครงสร้างโดยละเอียด:


AWG CWDM4 Structure Size


AWG CWDM4 Module

แอปพลิเคชั่น

ส่วนใหญ่ใช้ในเครื่องส่งสัญญาณและตัวรับสัญญาณของโมดูลออปติคัล ใช้กันอย่างแพร่หลายในโมดูลออปติคัลที่ใช้งานสูง 40G, 100G สำหรับมัลติเพล็กซ์สัญญาณออปติคัลและการแยกส่วน


QSFP+






QSFP+

QSFP28

QSFP28

ในโมดูลตัวรับส่งสัญญาณออปติคัล CWDM4 จำเป็นต้องใช้ชิป CWDM4 AWG สองตัว ชิปหนึ่งสำหรับมัลติเพล็กซ์และส่งสัญญาณออปติคัล และอีกชิปหนึ่งสำหรับการแยกส่วนและรับสัญญาณออปติคัล ที่ตัวส่งสัญญาณ ชิป CWDM4 AWG ส่วนใหญ่ใช้โครงสร้างอินพุต/เอาต์พุตด้านเดียว แต่ที่ตัวรับ ความยาวคลื่นที่แยกส่วนแยกส่วนจะถูกตรวจจับโดยโฟโตดีเทคเตอร์โดยไม่ต้องเชื่อมต่อกับไฟเบอร์โหมดเดียว

สายการผลิต OPTICO 4 WDM


4 production lines



4 สายการผลิต WDM

Imported test equipment

อุปกรณ์ทดสอบนำเข้า

High and low temperature cycle

วัฏจักรอุณหภูมิสูงและต่ำ


คำสัญญาของเรา
  • การทดสอบอุณหภูมิสูงและต่ำ 100%

  • การทดสอบด้วยแสงอย่างเข้มงวด 100%

  • ทีมงานบริการมืออาชีพตัวต่อตัว

  • ตอบกลับภายใน 24 ชั่วโมง

  • จัดส่งที่รวดเร็ว





ป้ายกำกับยอดนิยม: awg cwdm4 mux และ demux โมดูล จีน ผู้ผลิต ผู้จำหน่าย โรงงาน ขายส่ง กำหนดเอง

สิ่งของ

สภาพ/วิธีการวัด

เครื่องหมาย

หน่วย

พิมพ์
MuxDemux

ช่อง


CH


4

ระยะห่าง


Spc

นาโนเมตร

20

CWL

25℃@3dB ศูนย์

λC

นาโนเมตร

CH1:1271





CH2:1291




CH3:1311




CH4:1331

ความแม่นยำ CWL

25℃@3dB ศูนย์

△λC

นาโนเมตร

±1

แบนด์วิดธ์ 1dB


BW1dB

นาโนเมตร

≥12

≥12

แบนด์วิดธ์ 3dB


BW3dB

นาโนเมตร

≥15

≥15

ความสม่ำเสมอของช่อง

ทุกช่อง ILmax-ILmin

บทที่ 1

เดซิเบล

≤0.7

ชิปยูนิฟอร์ม

ชิปทั้งหมด ILmax-ILmin

หน่วยที่ 2

เดซิเบล

≤2

/

การสูญเสียการแทรก

@Passband±5nm;รวม PDL และข้อต่อไฟเบอร์

IL

เดซิเบล

2~3.5

≤2.5

โพลาไรเซชันขึ้นอยู่กับการสูญเสีย

พาสแบนด์±1nm

PDL

เดซิเบล

≤0.5

ระลอกคลื่น

พาสแบนด์±5nm

R

เดซิเบล

≤1.0

ผลตอบแทนขาดทุน


RL

เดซิเบล

≥40

การแยก (ที่อยู่ติดกัน)

พาสแบนด์±6.5nm

ไอโซ

เดซิเบล

/

≥20

การแยก (ไม่อยู่ติดกัน)

พาสแบนด์±6.5nm

ไอโซ

เดซิเบล

/

≥20

การกระจายโหมดโพลาไรเซชัน


PMD

PS

≤0.15

≤0.15

การสูญเสียขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ

-50~+85℃

TDL

เดซิเบล

≤0.2

≤0.2

ความคงตัวทางความร้อนของความยาวคลื่น


WTS

นิวตันเมตร/℃

≤0.012

/

ช่อง Pitch



อืม

500

250

ด้านอินพุต/เอาต์พุต




ด้านที่เหมือนกัน

ฝั่งตรงข้าม

ขนาดชิป

ขนาดสูงสุด


มม

≤7.6*4.0

≤10.2*1.6

ความสูงของชิป



มม

≤1.3

≤1.0

อุณหภูมิในการทำงาน



℃

-5~+80

อุณหภูมิในการจัดเก็บ



℃

-40~+85